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  • 电路设计中三极管使用注意事项
  • 文章出处 - | 作者 - 管理员 | 人气 - | 发表时间 - 2013-07-01 21:51:00
  •   半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。按照现代的制造工艺来说,根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,由此就构成了一个晶体管。晶体管最大的优点就是能够放大信号,它是放大电路的核心元件,能够控制能量的转换,将输入的任何微小变化量不失真地进行放大输出。电路设计中三极管使用注意事项:

     

      (1)需注意旁路电容对电压增益的影响:

     

      这个电路在国内各种模拟电路教材书上是司空见惯的了,也算比较经典的了。由于这个旁路电容的存在,在不同频率环境中会有不同的情况发生:

     

      a、当输入信号频率足够高时,XC将接近于零,即射极对地短路,此时共射的电压增益为:

     

      b、当输入信号频率比较低时,XC将远大于零,即相当于开路,此时共射的电压增益为:

     

      由此可以看出,在使用三极管设计电路时需要掂量旁路电容对电压增益带来的影响。

     

      (2)三极管作为开关时需注意它的可靠性:

     

      如同二极管那样,三极管的发射结也会有0.7V左右的开启电压,在三极管用作开关时,输入信号可能在低电平时(0.7V~2.4V)也会导致三极管导通,使得三极管的集电极输出为低电平,这样的情况在电路设计中是应该秒杀的。解决这个问题的一个办法:在这里,由于在基极人为接入了一个负电源VEE,这样即使输入信号的低电平稍稍大于零,也能够使得三极管的基极为负电位,从而使得三极管可靠地截止,集电极就将输出为我们所希望的高电平。

     

      (3)需注意三极管内部的结电容的影响:

     

      由于半导体制造工艺的原因,三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在,当输入信号频率达到一定程度时,它们会使得三极管的放大作用“大打折扣”,更糟糕的是,它还会因此引起额外的相位差。

     

      a、由于Cbe的存在,输入信号源的内阻RS和XCbe形成了一个鲜为人知的分压器,也可以看成是一个LPF,当输入信号的频率过高时,三极管基极的电位就会有所下降,此时电压增益就随之减小。

     

      b、由于Cbc的存在,当输入信号的频率过高时,Vout的一部分会经过Cbc反馈到基极,又因为此反馈信号和输入信号有180°的相位差,所以,这样也会降低基极的电位,电压增益也由此下降。

     

      (4)需明确把握三极管的截止频率:

     

      当输入信号的频率达到时,三极管的增益开始迅速下降。为了很好地解决这个问题,就得花心思把CL尽量减小,由此,fH就可以更高一些。首先我们可以在设计电路时特意选择那种极间电容值较小的三极管,也就是通常所说的RF晶体管;我们也可以减小RL的取值,但是这样的话得付出代价:电压增益将下降。

     

      (5)需要接受一个事实:三极管的开关速度一般不尽人意:

     

      由前所述得知,器件内部结电容的存在极大地限制了三极管的开关速度,但是我们还是可以想出一些办法有效地改善一下它的不足的,当输入信号的上升时间很小(信号频率很高)时,即dV/dt很大,则ZC很小,结果Ib非常大,以致三极管可以迅速地饱和或者截止,这自然也就提高了三极管的开关速度。

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